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IRFB3256PBF中文资料

IRFB3256PBF图片

IRFB3256PBF外观图

  • 大小：4KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：HEXFET?
  • 包装：管件
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：75A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.4 毫欧 @ 75A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 150μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：195 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6600 pF @ 48 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-220AB
  • 封装/外壳：TO-220-3

IRFB3256PBF供应商

更新时间:2023-01-10 23:33:59
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